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MRF24G300HS-2450
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, GaN, 125 V, NI-780S, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerMRF24G300HS-2450
Bestellnummer3280903
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds125V
Dauer-Drainstrom Id-
Drain-Source-Durchgangswiderstand-
Gate-Ladung, typ.-
Bauform - TransistorNI-780S
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
125V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
-
Bauform - Transistor
NI-780S
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
-
Gate-Ladung, typ.
-
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.036