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AFT20S015GNR1
HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerAFT20S015GNR1
Bestellnummer2890592
ProduktpaletteAFT20S015GN
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 24,800 € |
| 5+ | 24,350 € |
| 10+ | 23,890 € |
| 50+ | 21,970 € |
| 100+ | 21,530 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerAFT20S015GNR1
Bestellnummer2890592
ProduktpaletteAFT20S015GN
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds65V
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung11W
Betriebsfrequenz, min.1.805GHz
Betriebsfrequenz, max.2.7GHz
Bauform - TransistorTO-270G
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
ProduktpaletteAFT20S015GN
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
65V
Verlustleistung
11W
Betriebsfrequenz, max.
2.7GHz
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
AFT20S015GN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
1.805GHz
Bauform - Transistor
TO-270G
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003
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