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PUSB3AB4Z
ESD-Schutzbaustein, 5 V, DFN2510A, 10 Pin(s), 3.3 V
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,123 € |
| 1000+ | 0,111 € |
| 5000+ | 0,0988 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPUSB3AB4Z
Bestellnummer2900309RL
Technisches Datenblatt
Begrenzungsspannung Vc, max.5V
Bauform - DiodeDFN2510A
Anzahl der Pins10Pin(s)
Betriebsspannung3.3V
Verlustleistung Pd-
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Die TrEOS-Schutzbausteine überzeugen durch eine ideale Kombination aus niedriger Kapazität, niedriger Begrenzungsspannung und hoher Stoßspannungsfestigkeit. Sie unterstützen SuperSpeed USB einschließlich USB 3.1 bei 10GB/s. Die Bausteine werden unter anderem eingesetzt zum ESD-Schutz an Leiterplatten zur Unterstützung von Schnittstellenleitungen mit sehr empfindlichen I/Os. Es sind bidirektionale & unidirektionale Bausteine in SOT1176-1-Bauform zum Schutz von bis zu 4 Leitungen erhältlich.
- Schutz von vier Leitungen in SOT1176-3
- Bidirektionale und unidirektionale Bausteine erhältlich
- Äußerst niedrige Kapazität: ab 0.17pF
- Äußerst niedriger dynamischer Widerstand, typ.: ab 0.27Ω
- Deep Snap-Back ab 1.5V (typ.)
Technische Spezifikationen
Begrenzungsspannung Vc, max.
5V
Anzahl der Pins
10Pin(s)
Verlustleistung Pd
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Bauform - Diode
DFN2510A
Betriebsspannung
3.3V
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000136
Produktnachverfolgung