PSMN2R4-30MLDX

Beim Modell PSMN2R4-30MLD handelt es sich um einen n-Kanal-Logikpegel-Gate-Treiber-MOSFET (Anreicherungstyp), der für eine Gate-Treiber-Spannung von 4.5V optimiert wurde. Das NextPowerS3-Portfolio verwendet die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP, die für einen hohen Wirkungsgrad und ein geringes Spiking sorgt, was normalerweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, jedoch ohne den problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 eignet sich besonders für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.

• Äußerst niedriger QG, QGD und QOSS für einen höheren Systemwirkungsgrad, besonders bei höheren Schaltfrequenzen
• Superhohe Schaltfrequenz mit Soft-Recovery (s-Faktor <gt/>1)
• Geringes Spiking und Ringing für Designs mit niedrigen EMV-Emissionen
• Einzigartige SchottkyPlus-Technologie
• Schottky-ähnliche Leistung mit einem Leckstrom von <lt/>1µA bei 25°C
• Niedrige parasitäre Induktivität und niedriger Widerstand
• SO8-Gehäuse mit äußerst zuverlässigem Anschluss über Clips und Löten
• Kein Klebstoff, keine Drahtbonds, qualifiziert gemäß 175°C
• Wellenlötbar, freiliegende Drähte für optimale Sichtprüfung der Lötverbindung
• Sperrschichttemperatur: -55 bis 175°C

Anwendungen

Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte, Motorantrieb & -steuerung, Multimedia, Industrie