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PMV41XPAR
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 28 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMV41XPAR
Bestellnummer4245896RL
ProduktpaletteTrenchMOS Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,170 € |
| 500+ | 0,151 € |
| 1000+ | 0,144 € |
| 5000+ | 0,119 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMV41XPAR
Bestellnummer4245896RL
ProduktpaletteTrenchMOS Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds28V
Dauer-Drainstrom Id4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.041ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung510mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchMOS Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
510mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
28V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.041ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchMOS Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00017
Produktnachverfolgung