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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMV16XNR
Bestellnummer2498578RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Bauform - TransistorTO-236AB
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.650mV
Verlustleistung510mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
Beim Modell PMV16XN handelt es sich um einen n-Kanal-FET (Anreicherungstyp) in einem kleinen Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser FET verwendet die Trench MOSFET-Technologie und eignet sich für die Verwendung in LED-Treibern, Low-Side-Lastschalt- und Schaltanwendungen.
- Niedrige Schwellenspannung
- Sehr hohe Schaltfrequenz
- Verbesserte Verlustleistung von 1200mW
- Sperrschichttemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, LED-Beleuchtung, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6.8A
Bauform - Transistor
TO-236AB
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
510mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
650mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für PMV16XNR
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000048
Produktnachverfolgung