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PMPB09R1XNX
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0091 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMPB09R1XNX
Bestellnummer4134276
ProduktpaletteTrenchMOS Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,390 € |
| 10+ | 0,331 € |
| 100+ | 0,230 € |
| 500+ | 0,175 € |
| 1000+ | 0,145 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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1,95 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMPB09R1XNX
Bestellnummer4134276
ProduktpaletteTrenchMOS Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0091ohm
Bauform - TransistorDFN2020M
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.900mV
Verlustleistung3W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchMOS Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
13A
Bauform - Transistor
DFN2020M
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0091ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
900mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchMOS Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000038