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PMCB60XNZ
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,180 € |
| 500+ | 0,171 € |
| 1000+ | 0,144 € |
| 5000+ | 0,128 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMCB60XNZ
Bestellnummer3784130RL
ProduktpaletteTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.04ohm
Bauform - TransistorDSN1006
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.800mV
Verlustleistung480mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrench
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4A
Bauform - Transistor
DSN1006
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
480mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.04ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
800mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Trench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000055
Produktnachverfolgung