Seite drucken
PDTD123ET,215
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 10 Woche(n)
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,043 € |
| 9000+ | 0,0421 € |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
129,00 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPDTD123ET,215
Bestellnummer2439595
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-V
Dauerkollektorstrom500mA
Basis-Eingangswiderstand R12.2kohm
Basis-Emitter-Widerstand R22.2kohm
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung250mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.40hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
PDTD123ET,215 ist ein widerstandsbestückter PNP-Transistor (RET) in einem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser Baustein bietet integrierte Vorspannungswiderstände und vereinfacht das Schaltungsdesign. Er ist ausgelegt für die Steuerung von IC-Eingängen und stellt eine kostengünstige Alternative für die Bausteine der Produktreihe BC847/857 in digitalen Anwendungen und Lastschaltanwendungen dar.
- Ausgangsstromfähigkeit: 500mA
- Reduziert die Anzahl an Bauelementen
- Toleranz Widerstandsverhältnis: ± 10%
Anwendungen
Industrie, Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-V
Basis-Eingangswiderstand R1
2.2kohm
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
500mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
2.2kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
250mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
40hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung