Seite drucken
PDTC115ET,215
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPDTC115ET,215
Bestellnummer8737088RL
ProduktpalettePDTC115E Series
Technisches Datenblatt
1.140 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,038 € |
| 1500+ | 0,0361 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 500
Mehrere: 5
24,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPDTC115ET,215
Bestellnummer8737088RL
ProduktpalettePDTC115E Series
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R1100kohm
Basis-Emitter-Widerstand R2100kohm
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung250mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.80hFE
ProduktpalettePDTC115E Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
PDTC115ET ist ein widerstandsbestückter NPN-Transistor (Resistor Equipped Transistor, RET) mit 10 bis 100kR in einem SMD-Kunststoffgehäuse.
- Integrierte Vorspannungswiderstände
- Vereinfachtes Schaltungsdesign
- Reduzierte Anzahl an Bauelementen
- Senkt die Kosten für die Bestückung
- Komplementärer PNP-Transistor: PDTA115ET
- Markierungscode: 44
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Basis-Eingangswiderstand R1
100kohm
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
PDTC115E Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
100kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
250mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
80hFE
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000099
Produktnachverfolgung