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PDTA114EQB-QZ
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,162 € |
| 10+ | 0,0927 € |
| 100+ | 0,0648 € |
| 500+ | 0,0494 € |
| 1000+ | 0,0405 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPDTA114EQB-QZ
Bestellnummer3868887
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätEinfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauerkollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R110kohm
Basis-Emitter-Widerstand R210kohm
Bauform - TransistorDFN1110D
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung340mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.30hFE
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Einfach PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
10kohm
Bauform - Transistor
DFN1110D
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-
Dauerkollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
10kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
340mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
30hFE
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0006
Produktnachverfolgung