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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS8110T,215
Bestellnummer8736650RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-
DC-Stromverstärkung (hFE), min.150hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
PBSS8110T ist ein 1A-NPN-BISS (Breakthrough-In Small Signal)-Transistor in einem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage.
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCEsat)
- Hohe Kollektorstrombelastbarkeit, IC und ICM
- Höherer Wirkungsgrad führt zu einer geringen Wärmeerzeugung
- Geringerer Platzverbrauch auf der Leiterplatte
- Komplementärer PNP-Transistor: PBSS9110T
- Markierungscode: U8
Anwendungen
Industrie, Fahrzeugelektronik, Kommunikation & Netzwerke, Power-Management, Unterhaltungselektronik, Beleuchtung, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
150hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für PBSS8110T,215
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
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