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PBSS5230T,215
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 0,117 € |
| 1000+ | 0,0994 € |
| 5000+ | 0,0903 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS5230T,215
Bestellnummer8736464RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.30V
Dauerkollektorstrom2A
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz200MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.450hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
2A
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
450hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
30V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
200MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung