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PBSS5220T-QR
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,180 € |
| 500+ | 0,136 € |
| 1000+ | 0,119 € |
| 5000+ | 0,102 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS5220T-QR
Bestellnummer3912201RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo20V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.20V
DC-Kollektorstrom2A
Dauerkollektorstrom2A
Verlustleistung Pd480mW
Verlustleistung480mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.150hFE
DC-Stromverstärkung hFE150hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
20V
Dauerkollektorstrom
2A
Verlustleistung
480mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
DC-Stromverstärkung hFE
150hFE
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
20V
DC-Kollektorstrom
2A
Verlustleistung Pd
480mW
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
150hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung