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PBSS4350TVL
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS4350TVL
Bestellnummer3439920RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom2A
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorTO-236AB
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
2A
Bauform - Transistor
TO-236AB
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung