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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS4160U,115
Bestellnummer1757961RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung250mW
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz220MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.500hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
PBSS4160U,115 ist ein 1A-NPN-BISS (Breakthrough-In Small Signal)-Transistor in einem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage.
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCEsat)
- Hohe Kollektorstrombelastbarkeit von IC und ICM
- Hohe Kollektorstromverstärkung (hFE) bei hohem IC
- Hoher Wirkungsgrad dank geringerer Wärmeerzeugung
- Geringerer Platzverbrauch auf der Leiterplatte im Vergleich zu herkömmlichen Transistoren
- Komplementärer PNP-Transistor: PBSS5160U
- Markierungscode: 52
Anwendungen
Industrie, Fahrzeugelektronik, Motorantrieb & -steuerung, Signalverarbeitung, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
SOT-323
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
500hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
250mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
220MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
Produktnachverfolgung