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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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10+ | 0,237 € |
100+ | 0,161 € |
500+ | 0,123 € |
1000+ | 0,112 € |
5000+ | 0,0915 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS4160DS,115
Bestellnummer1757960
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.60V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN1A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN420mW
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.500hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorSOT-457
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN220MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The PBSS4160DS,115 is a dual NPN breakthrough small signal (BISS) Bipolar Transistor Array in a surface-mount plastic package. It is suitable for dual low power switch applications. It utilizes required smaller printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- PBSS5160DS dual PNP complement
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Motorantrieb & -steuerung, Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
1A
Verlustleistung, NPN
420mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
500hFE
Bauform - Transistor
SOT-457
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
220MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
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