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PBSS4160DPN,115
Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 700 mW
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS4160DPN,115
Bestellnummer1757959RL
WandlerpolaritätNPN, PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.60V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.60V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung420mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN1A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP1A
Verlustleistung, NPN700mW
Verlustleistung, PNP700mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.100hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.100hFE
DC-Stromverstärkung (hFE), min.500hFE
Bauform - TransistorSOT-457
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN220MHz
Übergangsfrequenz, PNP185MHz
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The PBSS4160DPN,115 is a NPN-PNP BISS Transistor encapsulated in surface-mount plastic package. It offers low collector to emitter saturation voltage and high collector current capability. It is designed for use with complementary MOSFET driver, half and full bridge motor drivers and dual low power switches (e.g. motors, fans) applications.
- High collector current gain at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
Anwendungen
Industrie, Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN, PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
60V
Dauerkollektorstrom
1A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
1A
Verlustleistung, NPN
700mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
100hFE
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
500hFE
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
185MHz
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
60V
Verlustleistung
420mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
1A
Verlustleistung, PNP
700mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
100hFE
Bauform - Transistor
SOT-457
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
220MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
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