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PBSS4130QAZ
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,345 € |
| 500+ | 0,338 € |
| 1000+ | 0,330 € |
| 5000+ | 0,0907 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS4130QAZ
Bestellnummer2498513RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.30V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung325mW
Bauform - TransistorDFN1010D
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz190MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.180hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
DFN1010D
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
180hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
30V
Verlustleistung
325mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
190MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
Produktnachverfolgung