Seite drucken
PBSS306NZ,135
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
2.880 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,567 € |
| 250+ | 0,320 € |
| 1000+ | 0,260 € |
| 2000+ | 0,245 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
61,70 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS306NZ,135
Bestellnummer1757954RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Dauerkollektorstrom5.1A
Verlustleistung700mW
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz110MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.30hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
PBSS306NZ,135 ist ein 5.1A-NPN-BISS (Breakthrough-In Small Signal)-Transistor in einem Kunststoffgehäuse mit größerer Kühlfläche zur Oberflächenmontage.
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCEsat)
- Hohe Kollektorstrombelastbarkeit, IC und ICM
- Hohe Kollektorstromverstärkung (hFE) bei hohem IC
- Hoher Wirkungsgrad dank geringerer Wärmeerzeugung
- Geringerer Platzverbrauch auf der Leiterplatte im Vergleich zu herkömmlichen Transistoren
- Komplementärer PNP-Transistor: PBSS306PZ
- Markierungscode: S306NZ
Anwendungen
Industrie, Motorantrieb & -steuerung, Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
5.1A
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
30hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung
700mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
110MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000147
Produktnachverfolgung