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NXV55UNR
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 1500+ | 0,0749 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerNXV55UNR
Bestellnummer3617842RL
ProduktpaletteTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id1.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.05ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.05ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.600mV
Verlustleistung340mW
Verlustleistung Pd340mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrench
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.05ohm
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
340mW
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Trench
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.9A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.05ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
600mV
Verlustleistung Pd
340mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001361
Produktnachverfolgung