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NX2301P,215
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| 1500+ | 0,076 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerNX2301P,215
Bestellnummer1894738RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.12ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.750mV
Verlustleistung400mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
NX2301P ist ein p-Kanal-Anreicherungs-FET in einem SMD-Gehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie verwendet.
- 1.8V RDSon für Niederspannungs-Gate-Treiber
- Sehr hohe Schaltfrequenz
- AEC-Q101-qualifiziert
Anwendungen
Audio, Signalverarbeitung, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
400mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.12ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
750mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000007
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