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NSF060120D7A0J
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 11,350 € |
| 50+ | 10,590 € |
| 100+ | 9,820 € |
| 250+ | 9,520 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerNSF060120D7A0J
Bestellnummer4416135RL
Technisches Datenblatt
Dauer-Drainstrom Id38A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.09ohm
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.9V
Verlustleistung167W
Betriebstemperatur, max.175°C
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauer-Drainstrom Id
38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
167W
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.9V
Betriebstemperatur, max.
175°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001498
Produktnachverfolgung