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GANE3R9-150QBAZ
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 6,290 € |
| 50+ | 5,700 € |
| 100+ | 5,240 € |
| 250+ | 4,930 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerGANE3R9-150QBAZ
Bestellnummer4414367RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0039ohm
Gate-Ladung, typ.20nC
Anzahl der Pins25Pin(s)
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0039ohm
Anzahl der Pins
25Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
100A
Gate-Ladung, typ.
20nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung