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GANB4R8-040CBAZ
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,230 € |
| 10+ | 1,660 € |
| 100+ | 1,320 € |
| 500+ | 1,110 € |
| 1000+ | 1,050 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerGANB4R8-040CBAZ
Bestellnummer4414365
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds-
Dauer-Drainstrom Id20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand-
Gate-Ladung, typ.15.8nC
Bauform - TransistorWLCSP
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins22Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand
-
Bauform - Transistor
WLCSP
Anzahl der Pins
22Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
20A
Gate-Ladung, typ.
15.8nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung