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GAN3R2-100CBEAZ
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 4,610 € |
| 10+ | 2,810 € |
| 100+ | 2,200 € |
| 500+ | 2,060 € |
| 1000+ | 1,810 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerGAN3R2-100CBEAZ
Bestellnummer4198483
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand2400µohm
Gate-Ladung, typ.9.2nC
Bauform - TransistorWLCSP
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2400µohm
Bauform - Transistor
WLCSP
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
60A
Gate-Ladung, typ.
9.2nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000833
Produktnachverfolgung