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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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10+ | 2,780 € |
100+ | 2,720 € |
500+ | 2,300 € |
1000+ | 2,130 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerGAN190-650FBEZ
Bestellnummer4198482
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id11.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.138ohm
Gate-Ladung, typ.2.8nC
Bauform - TransistorDFN5060
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.138ohm
Bauform - Transistor
DFN5060
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
11.5A
Gate-Ladung, typ.
2.8nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000833
Produktnachverfolgung