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GAN039-650NTBZ
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, SOT-8005, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 11,720 € |
| 5+ | 11,000 € |
| 10+ | 10,280 € |
| 50+ | 9,590 € |
| 100+ | 8,890 € |
| 250+ | 8,620 € |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerGAN039-650NTBZ
Bestellnummer4313176RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id58.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.039ohm
Gate-Ladung, typ.26nC
Bauform - TransistorSOT-8005
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins12Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.039ohm
Bauform - Transistor
SOT-8005
Anzahl der Pins
12Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
58.5A
Gate-Ladung, typ.
26nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1