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BZT52H-B8V2,115
Zener-Diode, 8.2 V, 375 mW, SOD-123F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,133 € |
| 10+ | 0,0866 € |
| 100+ | 0,039 € |
| 500+ | 0,0341 € |
| 1000+ | 0,0316 € |
| 5000+ | 0,0246 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBZT52H-B8V2,115
Bestellnummer2069455
ProduktpaletteBZT52H
Technisches Datenblatt
Zener-Spannung, nom.8.2V
Verlustleistung375mW
Bauform - DiodeSOD-123F
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteBZT52H
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Die Produktreihe BZT52H umfasst universelle, einfache Zener-Dioden in einem kompakten SOD123F-Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage (SMD), die sich für allgemeine Regelungsanwendungen eignen.
- Verlustleistung, gesamt: ≤830mW
- Niedriger differenzieller Widerstand
- Nenn-Betriebsspannungsbereich: 2.4 bis 75V (E24-Bereich)
- AEC-Q101-qualifiziert
Anwendungen
Industrie, Medizinelektronik
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Zener-Spannung, nom.
8.2V
Bauform - Diode
SOD-123F
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
BZT52H
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Verlustleistung
375mW
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000265
Produktnachverfolgung