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BUK7Y4R8-60EX
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,840 € |
| 10+ | 1,360 € |
| 50+ | 1,180 € |
| 200+ | 1,000 € |
| 500+ | 0,831 € |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK7Y4R8-60EX
Bestellnummer3439679
ProduktpaletteTrenchMOS
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0029ohm
Bauform - TransistorLFPAK56
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung238W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchMOS
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100A
Bauform - Transistor
LFPAK56
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
238W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0029ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
TrenchMOS
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung