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BUK762R9-40E,118
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK762R9-40E,118
Bestellnummer3439654RL
ProduktpaletteTrenchMOS
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0024ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung234W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchMOS
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
234W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0024ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchMOS
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung