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BUK7610-55AL,118
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK7610-55AL,118
Bestellnummer2777584RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds55V
Dauer-Drainstrom Id75A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0085ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternativen für BUK7610-55AL,118
2 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
75A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
55V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0085ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001