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BUK6D23-40EH
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK6D23-40EH
Bestellnummer4245894RL
ProduktpaletteTrenchMOS Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,245 € |
| 500+ | 0,193 € |
| 1000+ | 0,165 € |
| 5000+ | 0,139 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK6D23-40EH
Bestellnummer4245894RL
ProduktpaletteTrenchMOS Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id19A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.017ohm
Bauform - TransistorDFN2020MD
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.7V
Verlustleistung15W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchMOS Series
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
19A
Bauform - Transistor
DFN2020MD
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
15W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.017ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.7V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchMOS Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung