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BUK4D110-20PH
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.4 A, 0.096 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,200 € |
| 500+ | 0,146 € |
| 1000+ | 0,117 € |
| 5000+ | 0,0993 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK4D110-20PH
Bestellnummer4574204RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung8V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.3V
Verlustleistung2W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.096ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.3V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dauer-Drainstrom Id
3.4A
Rds(on)-Prüfspannung
8V
Verlustleistung
2W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung