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BST82,215
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| 500+ | 0,099 € |
| 1500+ | 0,097 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBST82,215
Bestellnummer1081313RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id190mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand10ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung830mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell BST82 handelt es sich um einen n-Kanal-FET (Anreicherungstyp) in SMD-Gehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie. Geeignet für High-Speed-Leitungstreiber und Logikpegel-Umsetzer.
- Logikpegel-kompatibel
- Sehr hohe Schaltfrequenz
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
190mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
830mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
10ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BST82,215
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000061