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BSS138BK,215
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 9000+ | 0,0286 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSS138BK,215
Bestellnummer2439124
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.1V
Verlustleistung350mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BSS138BK is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Logic Level Compatible
- Very Fast Switching
- ESD Protection Upto 1.5kV
- AEC-Q101 Qualified
Anwendungen
Audio, Signalverarbeitung, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
360mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
350mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSS138BK,215
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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