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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSS123,215
Bestellnummer1510764RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id150mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand6ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung250mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
BSS123 von NXP ist ein n-Kanal-FET (Anreicherungstyp) mit TrenchMOS-Technologie in SOT-23-Bauform zur Oberflächenmontage. Dieser Transistor bietet sehr hohe Schaltfrequenzen sowie Logikpegel-Kompatibilität. BS123 ist für High-Speed-Leitungstreiber, Telefonrufsätze und Relaistreiber geeignet.
- Drain/Source-Spannung (Vds): 100V
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Dauer-Drainstrom (Id): 150mA
- Verlustleistung (Pd): 250mW
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
150mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
250mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung