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BSR43,115
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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| 200+ | 0,209 € |
| 500+ | 0,164 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSR43,115
Bestellnummer1907658RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung1.35W
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz-MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BSR43 is a NPN Medium Power Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the thick and thin-film circuits, telephony and general industrial applications.
- High current
- Low voltage
- PNP complements are BSR30, BSR31 and BSR33
- AR4 Marking code
Anwendungen
Industrie, Kommunikation & Netzwerke, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
SOT-89
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
1.35W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
-MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363
Produktnachverfolgung