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BSH201,215
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| 1500+ | 0,102 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSH201,215
Bestellnummer1758073RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id160mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand2.5ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.9V
Verlustleistung417mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell BSH201,215 handelt es sich um einen p-Kanal-FET (Anreicherungstyp) in einem Kunststoffgehäuse mit vertikaler D-MOS-Technologie. Aufgrund der hohen Schaltfrequenz eignet sich dieser FET für Hochfrequenzanwendungen.
- Logikpegel-kompatibel
- Sehr hohe Schaltfrequenz
- Niedrige Schwellenspannung
Anwendungen
Industrie, Computer & Computerperipheriegeräte, Kommunikation & Netzwerke, Unterhaltungselektronik
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
160mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
417mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.9V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000318
Produktnachverfolgung