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BCX51-10,115
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 200+ | 0,145 € |
| 500+ | 0,112 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBCX51-10,115
Bestellnummer1757909RL
ProduktpaletteBCX51
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung500mW
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz145MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.63hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBCX51
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell BCX51 handelt es sich um einen 1A-PNP-Transistor für den mittleren Leistungsbereich in einem sehr kompakten Kunststoffgehäuse ohne Anschlussdrähte zur Oberflächenmontage.
- Hochstrom
- Drei Stromverstärkungen zur Auswahl
- Hohe Verlustleistung
- Freiliegender Kühlkörper für hervorragende Wärmeleitfähigkeit sowie elektrische Leitfähigkeit
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
SOT-89
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
63hFE
Produktpalette
BCX51
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
500mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
145MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000166
Produktnachverfolgung