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200+ | 0,242 € |
500+ | 0,180 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBCV48,115
Bestellnummer2464098RL
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo60V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauerkollektorstrom500mA
Verlustleistung Pd1.3W
DC-Kollektorstrom500mA
Verlustleistung1.3W
Bauform - HF-TransistorSOT-89
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE2000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.2000hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BCV48,115 is a PNP Darlington Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use where very high amplification is required. It offers collector pad for good heat transfer.
- Very high DC current gain
- High current
- Low voltage
- EE marking code
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung Pd
1.3W
Verlustleistung
1.3W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
2000hFE
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
60V
Dauerkollektorstrom
500mA
DC-Kollektorstrom
500mA
Bauform - HF-Transistor
SOT-89
DC-Stromverstärkung hFE
2000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung