Seite drucken
BC847QAPNZ
Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
2.815 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,0525 € |
| 1000+ | 0,0468 € |
| 5000+ | 0,0363 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 500
Mehrere: 5
31,25 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC847QAPNZ
Bestellnummer3439610RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN, PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.45V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN100mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP100mA
Verlustleistung, NPN350mW
Verlustleistung, PNP350mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.200hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.200hFE
Bauform - TransistorDFN1010B
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN100MHz
Übergangsfrequenz, PNP100MHz
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN, PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
100mA
Verlustleistung, PNP
350mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
200hFE
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
100MHz
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
100mA
Verlustleistung, NPN
350mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
200hFE
Bauform - Transistor
DFN1010B
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
100MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung