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2PD601ART-QR
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 500+ | 0,0473 € |
| 1000+ | 0,0315 € |
| 5000+ | 0,0229 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
Herstellerteilenummer2PD601ART-QR
Bestellnummer3912135RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo50V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom100mA
DC-Kollektorstrom100mA
Verlustleistung250mW
Verlustleistung Pd250mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung hFE210hFE
DC-Stromverstärkung (hFE), min.210hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
DC-Kollektorstrom
100mA
Verlustleistung Pd
250mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
210hFE
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
50V
Dauerkollektorstrom
100mA
Verlustleistung
250mW
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE
210hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung