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2PA1576S,115
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
Herstellerteilenummer2PA1576S,115
Bestellnummer2777564RL
Produktpalette2PA1576
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom150mA
Verlustleistung200mW
Bauform - TransistorSC-70
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.270hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette2PA1576
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
150mA
Bauform - Transistor
SC-70
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
270hFE
Produktpalette
2PA1576
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
200mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001