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2PA1576R-QX
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 1000+ | 0,0382 € |
| 5000+ | 0,0286 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
Herstellerteilenummer2PA1576R-QX
Bestellnummer3912131RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo50V
DC-Kollektorstrom150mA
Dauerkollektorstrom150mA
Verlustleistung Pd200mW
Verlustleistung200mW
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.180hFE
DC-Stromverstärkung hFE180hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
50V
Dauerkollektorstrom
150mA
Verlustleistung
200mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
DC-Stromverstärkung hFE
180hFE
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
DC-Kollektorstrom
150mA
Verlustleistung Pd
200mW
Bauform - Transistor
SOT-323
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
180hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung