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LQH3NPN2R2MMEL
Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, 2.1 A, Halbgeschirmt, 1.8 A, LQH3NPN_ME Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerLQH3NPN2R2MMEL
Bestellnummer3471336RL
ProduktpaletteLQH3NPN_ME Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,268 € |
| 250+ | 0,211 € |
| 500+ | 0,185 € |
| 1000+ | 0,158 € |
| 2000+ | 0,136 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerLQH3NPN2R2MMEL
Bestellnummer3471336RL
ProduktpaletteLQH3NPN_ME Series
Technisches Datenblatt
Induktivität2.2µH
RMS-Strom Irms2.1A
Bauart der InduktivitätHalbgeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)1.8A
ProduktpaletteLQH3NPN_ME Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität-
Bauform - Leistungsinduktivität3mm x 3mm x 1.4mm
DC-Widerstand, max.0.078ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge3mm
Produktbreite3mm
Produkthöhe1.4mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
2.2µH
Bauart der Induktivität
Halbgeschirmt
Produktpalette
LQH3NPN_ME Series
Bauform - Leistungsinduktivität
3mm x 3mm x 1.4mm
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
3mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
RMS-Strom Irms
2.1A
Sättigungsstrom (Isat)
1.8A
Bauform/Gehäuse der Induktivität
-
DC-Widerstand, max.
0.078ohm
Produktlänge
3mm
Produkthöhe
1.4mm
Technische Dokumente (2)
Alternativen für LQH3NPN2R2MMEL
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000063
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