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LQH32PH4R7NNCL
Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 4.7 µH, 1.2 A, Halbgeschirmt, 1.6 A, LQH32PH_NC Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerLQH32PH4R7NNCL
Bestellnummer3471318RL
ProduktpaletteLQH32PH_NC Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,236 € |
| 250+ | 0,195 € |
| 500+ | 0,175 € |
| 1000+ | 0,155 € |
| 2000+ | 0,151 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerLQH32PH4R7NNCL
Bestellnummer3471318RL
ProduktpaletteLQH32PH_NC Series
Technisches Datenblatt
Induktivität4.7µH
RMS-Strom Irms1.2A
Bauart der InduktivitätHalbgeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)1.6A
ProduktpaletteLQH32PH_NC Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität1210 [Metrisch 3225]
DC-Widerstand, max.0.186ohm
Induktivitätstoleranz± 30%
Produktlänge3.2mm
Produktbreite2.5mm
Produkthöhe1.55mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
4.7µH
Bauart der Induktivität
Halbgeschirmt
Produktpalette
LQH32PH_NC Series
DC-Widerstand, max.
0.186ohm
Produktlänge
3.2mm
Produkthöhe
1.55mm
RMS-Strom Irms
1.2A
Sättigungsstrom (Isat)
1.6A
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1210 [Metrisch 3225]
Induktivitätstoleranz
± 30%
Produktbreite
2.5mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für LQH32PH4R7NNCL
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
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