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DFE322520FD-4R7M=P2
Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, 2 A, Geschirmt, 3.4 A, DFE322520F_D Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE322520FD-4R7M=P2
Bestellnummer3678426RL
ProduktpaletteDFE322520F_D Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,495 € |
| 250+ | 0,432 € |
| 500+ | 0,407 € |
| 1000+ | 0,382 € |
| 2000+ | 0,358 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE322520FD-4R7M=P2
Bestellnummer3678426RL
ProduktpaletteDFE322520F_D Series
Technisches Datenblatt
Induktivität4.7µH
RMS-Strom Irms2A
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)3.4A
ProduktpaletteDFE322520F_D Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität1210 [Metrisch 3225]
DC-Widerstand, max.0.098ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge3.2mm
Produktbreite2.5mm
Produkthöhe2mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
4.7µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktpalette
DFE322520F_D Series
DC-Widerstand, max.
0.098ohm
Produktlänge
3.2mm
Produkthöhe
2mm
RMS-Strom Irms
2A
Sättigungsstrom (Isat)
3.4A
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1210 [Metrisch 3225]
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
2.5mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000227
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