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DFE322512F-2R2M=P2
Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 3.4 A, DFE322512F Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE322512F-2R2M=P2
Bestellnummer2871466RL
ProduktpaletteDFE322512F Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,350 € |
| 250+ | 0,289 € |
| 500+ | 0,262 € |
| 1500+ | 0,235 € |
| 3000+ | 0,217 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE322512F-2R2M=P2
Bestellnummer2871466RL
ProduktpaletteDFE322512F Series
Technisches Datenblatt
Induktivität2.2µH
RMS-Strom Irms-
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)3.4A
ProduktpaletteDFE322512F Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität-
DC-Widerstand, max.0.066ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge3.2mm
Produktbreite2.5mm
Produkthöhe1.2mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
2.2µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktpalette
DFE322512F Series
DC-Widerstand, max.
0.066ohm
Produktlänge
3.2mm
Produkthöhe
1.2mm
RMS-Strom Irms
-
Sättigungsstrom (Isat)
3.4A
Bauform/Gehäuse der Induktivität
-
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
2.5mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für DFE322512F-2R2M=P2
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000059
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