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DFE252012PD-2R2M=P2
Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 2.8 A, DFE252012P_D Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE252012PD-2R2M=P2
Bestellnummer2871484
ProduktpaletteDFE252012P_D Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,381 € |
| 50+ | 0,317 € |
| 250+ | 0,261 € |
| 500+ | 0,236 € |
| 1500+ | 0,211 € |
| 3000+ | 0,194 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE252012PD-2R2M=P2
Bestellnummer2871484
ProduktpaletteDFE252012P_D Series
Technisches Datenblatt
Induktivität2.2µH
RMS-Strom Irms-
Eigenresonanzfrequenz-
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)2.8A
DC-Nennstrom2.2A
Bauform - Induktivität2.5mm x 2mm x 1.2mm
ProduktpaletteDFE252012P_D Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität-
DC-Widerstand, max.0.084ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
KernmaterialEisen
Produktlänge2.5mm
Produktbreite2mm
Produkthöhe1.2mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
2.2µH
Eigenresonanzfrequenz
-
Sättigungsstrom (Isat)
2.8A
Bauform - Induktivität
2.5mm x 2mm x 1.2mm
Bauform/Gehäuse der Induktivität
-
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktlänge
2.5mm
Produkthöhe
1.2mm
RMS-Strom Irms
-
Bauart der Induktivität
Geschirmt
DC-Nennstrom
2.2A
Produktpalette
DFE252012P_D Series
DC-Widerstand, max.
0.084ohm
Kernmaterial
Eisen
Produktbreite
2mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000029
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